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IXFK35N50
IXFK35N50
Número de pieza:
IXFK35N50
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12058 Pieces
Ficha de datos:
IXFK35N50.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264AA (IXFK)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):416W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFK35N50
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:227nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 35A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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