IXFK32N60
IXFK32N60
Número de pieza:
IXFK32N60
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17007 Pieces
Ficha de datos:
IXFK32N60.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 8mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264AA (IXFK)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:250 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFK32N60
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:325nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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