IXFK36N60P
IXFK36N60P
Número de pieza:
IXFK36N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14304 Pieces
Ficha de datos:
IXFK36N60P.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFK36N60P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFK36N60P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFK36N60P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264AA (IXFK)
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):650W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFK36N60P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:102nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 36A (Tc) 650W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios