IXFH6N100Q
IXFH6N100Q
Número de pieza:
IXFH6N100Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16120 Pieces
Ficha de datos:
IXFH6N100Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.9 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:478547
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFH6N100Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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