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IXFH67N10
IXFH67N10
Número de pieza:
IXFH67N10
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13053 Pieces
Ficha de datos:
IXFH67N10.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 33.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Número de pieza del fabricante:IXFH67N10
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:260nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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