español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH66N20Q
IXFH66N20Q
IXFH66N20Q
Número de pieza:
IXFH66N20Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13935 Pieces
Ficha de datos:
IXFH66N20Q.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH66N20Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH66N20Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFH66N20Q con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo):400W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFH66N20Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 66A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFH66N20Q

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFH60N60X Image IXFH60N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 60A TO247 Investigación
NTMFS4936NCT1G Image NTMFS4936NCT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL Investigación
IRC644PBF Image IRC644PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5 Investigación
IXFH6N90 Image IXFH6N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD Investigación
BUK762R9-40E,118 Image BUK762R9-40E,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Investigación
IXFH60N65X2 Image IXFH60N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 Investigación
IXFH60N25Q Image IXFH60N25Q IXYS MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD Investigación
IXFN140N30P Image IXFN140N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Investigación
IXFH6N120P Image IXFH6N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Investigación
IXFH67N10 Image IXFH67N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD Investigación
IXFH69N30P Image IXFH69N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 Investigación
IXFH60N50P3 Image IXFH60N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A TO247 Investigación
IXFH6N100Q Image IXFH6N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD Investigación
IXFH6N100F Image IXFH6N100F IXYS MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 Investigación
IRF7422D2TRPBF Image IRF7422D2TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Investigación
NDT455N Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223 Investigación
IXFH6N100 Image IXFH6N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD Investigación
IRFD9024PBF Image IRFD9024PBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Investigación
IXFH60N20 Image IXFH60N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 Investigación
IXFH6N120 Image IXFH6N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Investigación

Latest Noticias