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IRLR6225PBF
- Número de pieza:
- IRLR6225PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18202 Pieces
- Ficha de datos:
- IRLR6225PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLR6225PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLR6225PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 mOhm @ 21A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 63W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | SP001578814 |
| Temperatura de funcionamiento: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRLR6225PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3770pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 72nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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