IRLR6225TRPBF
Número de pieza:
IRLR6225TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16390 Pieces
Ficha de datos:
IRLR6225TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 50µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4 mOhm @ 21A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):63W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IRLR6225TRPBFTR
SP001573984
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRLR6225TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3770pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:72nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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