Comprar IRF7701 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-TSSOP |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 mOhm @ 10A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 1.5W (Ta) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRF7701 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5050pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 100nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 12V 10A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
Descripción: | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |