IRF7705TRPBF
Número de pieza:
IRF7705TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13283 Pieces
Ficha de datos:
IRF7705TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:IRF7705TRPBF-ND
IRF7705TRPBFTR
SP001555536
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7705TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2774pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 8A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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