IRF7707TR
Número de pieza:
IRF7707TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15997 Pieces
Ficha de datos:
IRF7707TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7707TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2361pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:47nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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