Comprar IRF1503PBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRF1503PBF
- Número de pieza:
- IRF1503PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16251 Pieces
- Ficha de datos:
- IRF1503PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRF1503PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRF1503PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 140A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 330W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | *IRF1503PBF SP001561384 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IRF1503PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5730pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRF1503PBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
RS1E300GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP | Investigación |
 |
IRF1503STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | Investigación |
 |
IRF1503LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A TO-262 | Investigación |
 |
ZVN3306A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 | Investigación |
 |
STE70NM50 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP | Investigación |
 |
IXTB30N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 | Investigación |
 |
BSS84P E6433 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | Investigación |
|
IRF1503SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | Investigación |
 |
IXTQ18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P | Investigación |
|
IRF1503STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | Investigación |
 |
NTTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN | Investigación |
 |
SI7810DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog