Comprar IXTB30N100L con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PLUS264™ |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 450 mOhm @ 500mA, 20V |
La disipación de energía (máximo): | 800W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-264-3, TO-264AA |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IXTB30N100L |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 13200pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 545nC @ 20V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |