español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH18N90P
IXFH18N90P
IXFH18N90P
Número de pieza:
IXFH18N90P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20037 Pieces
Ficha de datos:
IXFH18N90P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH18N90P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH18N90P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFH18N90P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):540W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFH18N90P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5230pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:97nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFH18N90P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFH15N100 Image IXFH15N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 Investigación
IXFH160N15T2 Image IXFH160N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 Investigación
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD Investigación
IXFH14N80P Image IXFH14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 Investigación
IXFH17N80Q Image IXFH17N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Investigación
IXFH18N100Q3 Image IXFH18N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Investigación
IXFH18N60X Image IXFH18N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Investigación
IXFH10N80P Image IXFH10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 Investigación
IXFH150N15P Image IXFH150N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 Investigación
IXFH170N10P Image IXFH170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 Investigación
IXFH10N100 Image IXFH10N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Investigación
IXFH14N60P Image IXFH14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 Investigación
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD Investigación
IXFH14N85X IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 Investigación
IXFH18N60P Image IXFH18N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Investigación
IXFH10N100P Image IXFH10N100P IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Investigación
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 Investigación
IXFH16N50P Image IXFH16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 Investigación
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Investigación
IXFH160N15T Image IXFH160N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 Investigación

Latest Noticias