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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ18N60P
IXTQ18N60P
IXTQ18N60P
Número de pieza:
IXTQ18N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16358 Pieces
Ficha de datos:
IXTQ18N60P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs:420 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):360W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTQ18N60P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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