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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
Número de pieza:
IXTQ180N10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12165 Pieces
Ficha de datos:
IXTQ180N10T.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.4 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):480W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTQ180N10T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:151nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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