Comprar IPU09N03LB G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 20µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO251-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 9.3 mOhm @ 50A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 58W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Otros nombres: | IPU09N03LBGX SP000209115 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Número de pieza del fabricante: | IPU09N03LB G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |