TPH3202LD
TPH3202LD
Número de pieza:
TPH3202LD
Fabricante:
Transphorm
Descripción:
GAN FET 600V 9A PQFN88
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16132 Pieces
Ficha de datos:
TPH3202LD.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±18V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:PQFN (8x8)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:350 mOhm @ 5.5A, 8V
La disipación de energía (máximo):65W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-PowerDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:TPH3202LD
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:GAN FET 600V 9A PQFN88
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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