Comprar TPH3202LD con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±18V |
Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Paquete del dispositivo: | PQFN (8x8) |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
La disipación de energía (máximo): | 65W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | 4-PowerDFN |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TPH3202LD |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | GAN FET 600V 9A PQFN88 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |