IPU090N03L G
IPU090N03L G
Número de pieza:
IPU090N03L G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17152 Pieces
Ficha de datos:
IPU090N03L G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:9 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):42W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:IPU090N03LGIN
IPU090N03LGXK
SP000260751
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPU090N03L G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 40A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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