IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
Número de pieza:
IXFQ23N60Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19807 Pieces
Ficha de datos:
IXFQ23N60Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFQ23N60Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 23A (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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