IPP60R040C7XKSA1
IPP60R040C7XKSA1
Número de pieza:
IPP60R040C7XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16662 Pieces
Ficha de datos:
IPP60R040C7XKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1.24mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™ C7
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 24.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):227W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP001277604
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP60R040C7XKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:107nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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