IPP60R190P6
IPP60R190P6
Número de pieza:
IPP60R190P6
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16212 Pieces
Ficha de datos:
IPP60R190P6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 630µ
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:CoolMOS™ P6
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 7.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):151W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP60R190P6XKSA1
SP001017066
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP60R190P6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1750pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

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