IPP60R520E6XKSA1
IPP60R520E6XKSA1
Número de pieza:
IPP60R520E6XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18726 Pieces
Ficha de datos:
IPP60R520E6XKSA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPP60R520E6XKSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPP60R520E6XKSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPP60R520E6XKSA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 230µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:520 mOhm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):66W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP60R520E6XKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:512pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 8.1A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.1A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios