IPI023NE7N3 G
IPI023NE7N3 G
Número de pieza:
IPI023NE7N3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14483 Pieces
Ficha de datos:
IPI023NE7N3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.8V @ 273µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:IPI023NE7N3G
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPI023NE7N3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 37.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:206nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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