IPI020N06NAKSA1
IPI020N06NAKSA1
Número de pieza:
IPI020N06NAKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14102 Pieces
Ficha de datos:
IPI020N06NAKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.8V @ 143µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta), 214W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPI020N06NAKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7800pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:106nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 120A (Tc)
Email:[email protected]

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