FQU6P25TU
FQU6P25TU
Número de pieza:
FQU6P25TU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12944 Pieces
Ficha de datos:
FQU6P25TU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.1 Ohm @ 2.35A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 55W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQU6P25TU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:780pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 250V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A (Tc)
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