IPD65R660CFDBTMA1
IPD65R660CFDBTMA1
Número de pieza:
IPD65R660CFDBTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18588 Pieces
Ficha de datos:
IPD65R660CFDBTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 200µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:660 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):62.5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD65R660CFDBTMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:615pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 6A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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