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IPD65R660CFDBTMA1
- Número de pieza:
- IPD65R660CFDBTMA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 6A TO252
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18588 Pieces
- Ficha de datos:
- IPD65R660CFDBTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD65R660CFDBTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD65R660CFDBTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 62.5W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | IPD65R660CFD IPD65R660CFD-ND SP000745024 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IPD65R660CFDBTMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 615pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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