Comprar IPD65R660CFDAATMA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 214.55µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 660 mOhm @ 3.22A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 62.5W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | SP000928260 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPD65R660CFDAATMA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 543pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
Descripción: | MOSFET N-CH TO252-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |