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IPD65R600E6BTMA1
- Número de pieza:
- IPD65R600E6BTMA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17780 Pieces
- Ficha de datos:
- IPD65R600E6BTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD65R600E6BTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD65R600E6BTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 63W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | IPD65R600E6 IPD65R600E6-ND IPD65R600E6BTMA1TR IPD65R600E6TR-ND SP000800216 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IPD65R600E6BTMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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