IPD65R420CFDATMA1
IPD65R420CFDATMA1
Número de pieza:
IPD65R420CFDATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18284 Pieces
Ficha de datos:
IPD65R420CFDATMA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD65R420CFDATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD65R420CFDATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPD65R420CFDATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 300µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:420 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):83.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP001117738
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD65R420CFDATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:870pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:31.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.7A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios