IPD60R750E6
IPD60R750E6
Número de pieza:
IPD60R750E6
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16465 Pieces
Ficha de datos:
IPD60R750E6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 170µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:750 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):48W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD60R750E6-ND
IPD60R750E6BTMA1
SP000801094
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPD60R750E6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:373pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 5.7A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.7A (Tc)
Email:[email protected]

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