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IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2
Número de pieza:
IPD60R380E6ATMA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
No aplicable / No aplicable
Cantidad disponible:
14278 Pieces
Ficha de datos:
IPD60R380E6ATMA2.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 300µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:380 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Número de pieza del fabricante:IPD60R380E6ATMA2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

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