Comprar IPD60R460CEATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 280µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-252-3 |
Serie: | CoolMOS™ CE |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 460 mOhm @ 3.4A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 74W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | IPD60R460CEATMA1TR SP001276024 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Número de pieza del fabricante: | IPD60R460CEATMA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 620pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |