IPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1
Número de pieza:
IPD60R460CEATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16107 Pieces
Ficha de datos:
IPD60R460CEATMA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD60R460CEATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD60R460CEATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPD60R460CEATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 280µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-3
Serie:CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs:460 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):74W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD60R460CEATMA1TR
SP001276024
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPD60R460CEATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.1A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios