IPB90N04S402ATMA1
IPB90N04S402ATMA1
Número de pieza:
IPB90N04S402ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14442 Pieces
Ficha de datos:
IPB90N04S402ATMA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPB90N04S402ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPB90N04S402ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPB90N04S402ATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 95µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.1 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB90N04S4-02
IPB90N04S4-02-ND
SP000646182
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB90N04S402ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9430pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:118nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios