SI2304DDS-T1-GE3
Número de pieza:
SI2304DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17053 Pieces
Ficha de datos:
SI2304DDS-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 3.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:SI2304DDS-T1-GE3-ND
SI2304DDS-T1-GE3TR
SI2304DDST1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI2304DDS-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Email:[email protected]

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