NP32N055SLE-E1-AY
Número de pieza:
NP32N055SLE-E1-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16507 Pieces
Ficha de datos:
NP32N055SLE-E1-AY.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252 (MP-3ZK)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.2W (Ta), 66W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:NP32N055SLE-E1-AY
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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