IPB65R600C6ATMA1
IPB65R600C6ATMA1
Número de pieza:
IPB65R600C6ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19780 Pieces
Ficha de datos:
IPB65R600C6ATMA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPB65R600C6ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPB65R600C6ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPB65R600C6ATMA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 210µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):63W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB65R600C6
IPB65R600C6-ND
IPB65R600C6TR-ND
SP000794382
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB65R600C6ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios