IPB65R150CFDATMA1
IPB65R150CFDATMA1
Número de pieza:
IPB65R150CFDATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18640 Pieces
Ficha de datos:
IPB65R150CFDATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 900µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 9.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):195.3W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB65R150CFDATMA1DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB65R150CFDATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2340pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22.4A (Tc)
Email:[email protected]

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