Comprar IPB65R065C7ATMA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 200µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO263 |
Serie: | CoolMOS™ P6 |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 171W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Otros nombres: | SP001080110 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Snap Clips |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPB65R065C7ATMA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 557pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 171W (Tc) Snap Clips PG-TO263 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH TO263-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |