HTNFET-TC
Número de pieza:
HTNFET-TC
Fabricante:
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13237 Pieces
Ficha de datos:
HTNFET-TC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:-
Serie:HTMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 100mA, 5V
La disipación de energía (máximo):50W (Tj)
embalaje:-
Paquete / Cubierta:-
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:HTNFET-TC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 28V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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