SBSS84LT1G
SBSS84LT1G
Número de pieza:
SBSS84LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18602 Pieces
Ficha de datos:
SBSS84LT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 Ohm @ 100mA, 5V
La disipación de energía (máximo):225mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:SBSS84LT1G-ND
SBSS84LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:36 Weeks
Número de pieza del fabricante:SBSS84LT1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:36pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:130mA (Ta)
Email:[email protected]

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