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HTNFET-D
- Número de pieza:
- HTNFET-D
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13392 Pieces
- Ficha de datos:
- HTNFET-D.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HTNFET-D, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HTNFET-D por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-CDIP-EP |
| Serie: | HTMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | 50W (Tj) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Otros nombres: | 342-1078 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | HTNFET-D |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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