Comprar IXTH130N10T con BYCHPS
Compre con garantía
IXTH130N10T
- Número de pieza:
- IXTH130N10T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18448 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTH130N10T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTH130N10T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTH130N10T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 (IXTH) |
| Serie: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTH130N10T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5080pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 104nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTH130N10T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH160N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 | Investigación |
|
IXTH130N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 | Investigación |
|
IXTH102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 | Investigación |
 |
IXTH1N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | Investigación |
|
IXTH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 | Investigación |
|
IXTH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Investigación |
|
IXTH12N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | Investigación |
|
IXTH16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | Investigación |
|
IXTH1N200P3 | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 | Investigación |
|
IXTH130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 | Investigación |
|
IXTH1N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | Investigación |
|
IXTH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Investigación |
|
IXTH14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Investigación |
|
IXTH13N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 | Investigación |
|
IXTH10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 | Investigación |
|
IXTH140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-247 | Investigación |
|
IXTH13N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog