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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH1N300P3HV
IXTH1N300P3HV
IXTH1N300P3HV
Número de pieza:
IXTH1N300P3HV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12712 Pieces
Ficha de datos:
IXTH1N300P3HV.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247HV
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:50 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):195W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTH1N300P3HV
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:895pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 3000V (3kV) 1A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-247HV
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:3000V (3kV)
Descripción:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

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