FQI19N20CTU
FQI19N20CTU
Número de pieza:
FQI19N20CTU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18130 Pieces
Ficha de datos:
FQI19N20CTU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.13W (Ta), 139W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQI19N20CTU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 19A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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