IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF
Número de pieza:
IRF3717TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17140 Pieces
Ficha de datos:
IRF3717TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.45V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4.4 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:IRF3717PBFTR
SP001559604
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF3717TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2890pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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