FQA16N25C
FQA16N25C
Número de pieza:
FQA16N25C
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18500 Pieces
Ficha de datos:
FQA16N25C.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:270 mOhm @ 8.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQA16N25C
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:53.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 17.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17.8A (Tc)
Email:[email protected]

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