FDR840P
Número de pieza:
FDR840P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14388 Pieces
Ficha de datos:
FDR840P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 10A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Gull Wing
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDR840P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4481pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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