NTR4101PT1H
NTR4101PT1H
Número de pieza:
NTR4101PT1H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19051 Pieces
Ficha de datos:
NTR4101PT1H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):420mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:NTR4101PT1H-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTR4101PT1H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:675pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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