FDP8030L
Número de pieza:
FDP8030L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19227 Pieces
Ficha de datos:
1.FDP8030L.pdf2.FDP8030L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):187W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:9 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDP8030L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:170nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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